vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
MOS场效应管有增强型与耗尽型。() 此题为判断题(对，错)。
MOS集成门电路是绝缘栅场效应管组成的集成电路。() 此题为判断题(对，错)。
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
绝缘栅场效应管又称为MOS管() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管与绝缘栅型场效应管在使用和保管时注意事项相同。
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。A、高B、相同C、低D、不一定高
逆变弧焊机电源是目前最先进的弧焊电源，主要有可控硅（SCR）逆变弧焊电源、场效应管（MOS）逆变弧焊电源和绝缘栅双极性晶体管（IGBT）逆变弧焊电源。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
常用的电力电子器件有：（）。A、双极晶体管B、绝缘栅双极晶体管C、电力MOS场效应管D、门极关断晶闸管E、场控晶闸管
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
多选题常用的电力电子器件有：（）。A双极晶体管B绝缘栅双极晶体管C电力MOS场效应管D门极关断晶闸管E场控晶闸管
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”