vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
绝缘栅型场效应管的输入电流不为零。() 此题为判断题(对，错)。
场效应管的工作原理是()。A、输入电压控制输入电流B、输入电压控制输出电流C、输出电压控制输出电流D、输出电压控制输入电流
MOS场效应管是电压控制元件,普通晶体管是电流控制元件。( ) 此题为判断题(对，错)。
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
下列描述正确的是（）A、场效应管是电压控制电流元件B、场效应管输入电阻较小C、场效应管是双极型晶体管
双栅MOS场效应管因为反馈电容比常规（单栅）MOS场效应管低两个数量级，因而能在甚高频率和超高范围内稳定地工作。
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
在检测MOS场效应管时，应注意防止人体感应电压击穿元件。
MOS场效应管的输入电阻比J型场效应管的输入电阻（）得多。
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
MOS场效应管的高频小信号电路模型，适合分析下列哪种情况（）A、输入信号很大B、输出信号很大C、输入输出信号都很大D、输入输出信号都很小
场效应管是利用输入回路的（）来控制输出电流的半导体器件，而晶体管是利用输入回路（）来控制输出电流的。
场效应管的输入电阻比双极型三极管的输入电阻（），所以输入电流近似为（）。
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
MOS场效应管的英语缩写是（）。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”
绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较大B、较小C、为零D、无法判断
单选题下列描述正确的是（）A场效应管是电压控制电流元件B场效应管输入电阻较小C场效应管是双极型晶体管
单选题场效应管的工作原理是（）A输入电流控制输出电流B输入电流控制输出电压C输入电压控制输出电压D输入电压控制输出电流
单选题绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A较大B较小C为零D无法判断
单选题MOS场效应管的英语缩写是（）。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”