耗尽型MOS管工作在放大状态时,其栅压可正可负。

耗尽型MOS管工作在放大状态时,其栅压可正可负。


相关考题:

vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管

耗尽型MOS管不能采用自偏压方式。() 此题为判断题(对,错)。

丙类工作状态的栅偏压比截止栅压更负,若振荡管采用固定栅偏压,管子将恒处于饱和状态。() 此题为判断题(对,错)。

在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型

结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管

场效应管分压式偏置电路适合于()场效应管组成的放大电路。 A.增强型B.耗尽型C.增强型和耗尽型D.以上均不对

增强型MOS管放大电路,为何不可采用自给栅偏压的结构形式?

结型场效应管可分为()。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型

电子管栅负压是加在栅阴极之间的工作电压,有控制屏流的作用。

电子管作为放大器工作,若固定栅偏压高于截止栅压,而且在栅极输入整个变化过程中电子管都处于导电状态,这样的工作状态叫()类工作状态。A、甲B、乙C、甲乙D、丙

结型场效应管的类型有()。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

场效应管的类型有()。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管

UGS=0V时,不能够工作在恒流区的场效应管有()。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管

场效应管按结构分为结型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

场效应管按性能分为耗尽型和()。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型

对于耗尽MOS管,VGS可以为()。

UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有()。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管

某场效应管的IDSS为6mA,而IDQ自源极流出,大小为8mA,则该管是()A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管

根据栅—源电压为零时,导电沟道是否存在,将场效应管分为()和耗尽型。

若耗尽型N沟道MOS管的ugs大于零,则其输入电阻会明显变小。

场效应管从结构上可分为两大类:()、MOS;根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道,又可分为两种:耗尽型、()。

当UGS=0时,()管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管

P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为()。A、正值B、负值C、零

高炉煤气进入交换开闭器后即处于()状态。A、正压B、负压C、可正可负无什么要求

高炉煤气进入交换开闭器后即处于()状态。A、正压B、负压C、可正可风无什么要求

CMOS反相器基本电路包括()A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型

单选题高炉煤气进入交换开闭器后即处于()状态。A正压B负压C可正可负无什么要求