IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式

IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的()电力电子器件。

  • A、结构复杂
  • B、复合
  • C、全控型
  • D、电压驱动式

相关考题:

在变频技术中,绝缘栅双极型晶体管的英文缩写是:() A.GTOB.MOSFETC.PICD.IGBT

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管

绝缘栅双极型晶体管的简称是()。A、PowerMOSFETB、GTRC、GTOD、IGBT

绝缘栅双极型晶体管内部为()层结构。

功率开关器件可以说是开关电源的心脏,下面哪一种开关器件不是开关电源所采用的()。A、MOSFET功率场效应管B、IGBT绝缘栅双极晶体管C、GTR晶闸管D、BJT双极型晶体管

绝缘栅双极型晶体管简称()。A、MOSFETB、IGBTC、GTRD、GTO

已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是以场效应晶体管作为基极,以()作为发射与集电极复合而成。

MOS管的栅极可与双极型三极管的()相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极

MOS管的栅极与双极型三极管的相对应()A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极

双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

TTL“与非”门电路是以()为基本元件构成的。A、双极型三极管B、双极型绝缘栅C、单极型三极管D、单极型绝缘栅

IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管

三极管按内部结构的不同,分为()型。A、TTLB、CMOSC、NPND、PNPE、MOS

绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

MOS场效应管的英语缩写是()。A、“IGBT”B、“BJT”C、“GTO”D、“MOSFET”

请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

填空题双极型半导体工作速度比MOS型半导体快 ,因此()就是由双极型半导体构成。

问答题简述绝缘栅双极型晶体管IGBT的特点是什么?

多选题开关电源中常用的功率开关器件主要有()A双极型晶体管BJTB快速晶闸管SCRC场效应管MOSFETD绝缘栅双极性晶体管IGBT

多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于()器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

填空题请在空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

填空题请在正确的空格内标出下面元件的简称:电力晶体管();可关断晶闸管();功率场效应晶体管();绝缘栅双极型晶体管();IGBT是()和()的复合管。

单选题绝缘栅双极型晶体管的英语缩写是()。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”

单选题MOS场效应管的英语缩写是()。A“IGBT”B“BJT”C“GTO”D“MOSFET”