IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管,它的全称是()。 A.绝缘栅场效应管B.结型场效应管C.绝缘栅双极晶体管D.双极型功率晶体管
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
结型场效应管工作时,要求栅源之间处于反偏状态() 此题为判断题(对，错)。
场效应管除了结型场效应管外,还有()型场效应管; A.绝缘型；B.IGBT型；C.稳压型；
下列关于场效应管的说法中，错误的是： A、场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）B、场效应管工作于放大状态时，结型场效应管的栅极与源极之间的PN结是正向偏置C、一般来说，场效应管的输入电阻都比较高，结型高达107Ω，绝缘型高达109ΩD、场效应管具有输入电阻高、温度稳定性好、噪声小等优点E、一般来说，场效应管的放大能力大都比较弱
N沟道增强型绝缘栅场效应管，栅源电压VGS是指（）A、正极性B、负极性C、零D、不能确定
场效应管有结型和绝缘栅型两类，每一类中又分（）两种。A、N沟道和P沟道B、H沟道和P沟道C、N沟道和H沟道D、Y沟道和H沟道
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN结反偏。
场效应管按结构分为结型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
场效应管按性能分为耗尽型和（）。A、绝缘栅型B、耗尽型C、增强型
场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
使用场效应管时应特别注意对（）极的保护，尤其是绝缘栅场效应管在不用时应将三个电极（）。
场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A、绝缘型；B、IGBT型；C、稳压型；
IGBT是开关电源中的一种常用功率开关管，它的全称是（）。A、绝缘栅场效应管B、结型场效应管C、绝缘栅双极晶体管D、双极型功率晶体管
结型场效应管用作放大时，其栅源极之间应加（）电压。
绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
根据结构的不同，场效应管可分为结型场效应管和绝缘栅场效应管。
绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A、较大B、较小C、为零D、无法判断
填空题绝缘栅型场效应管通常称为（）、存放时应将三个电极（）。
单选题场效应管除了结型场效应管外，还有（）型场效应管；A绝缘型；BIGBT型；C稳压型；
单选题绝缘栅型场效应管的输入电流（）。A较大B较小C为零D无法判断
填空题场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。