vGS=0时,不能工作在放大区的场效应管是( )。 A.结型管B耗尽型MOS管C增强型MOS管
场效应管极易被感应电荷击穿，因而不能用三用表进行检测，而要用专用测试仪进行检测。此题为判断题(对，错)。
MOS场效应管是电压控制元件,普通晶体管是电流控制元件。( ) 此题为判断题(对，错)。
在拆除接地线时,人体不得碰触导线和接地线,防止感应电压触电。() 此题为判断题(对，错)。
场效应管极易被感应电荷击穿,因而不能用三用表进行检测,而要用()仪器进行检测。 A.专用测试B.老化测试C.选配测试D.专人测试
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
电压互感器在运行中，二次绕组必须可靠接地，以防止（）时二次侧串入高电压。A、绝缘击穿B、感应高压C、正常运行D、过电压
使用功率MOSFET时要注意（）。A、防止静电击穿B、防止二次击穿C、MOSFET不能承受反压D、栅源过电压保护
整流元件在串联使用时，为防止电压分配不均，而造成元件击穿，常采用与每只整流元件（）的方法进行均压，以保护整流元件。
霍尔元件是一种（）A、磁感应元件B、电压放大器件C、电流检测元件D、电感性元件
场效应管极易被感应电荷击穿，因而不能用三用表进行检测，而要用（）仪进行检测。A、专用测试B、老化测试C、选配测试D、专人测试
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。A、电压、电压B、电压、电流C、电流、电流D、电流、电压
场效应管用作放大交流小信号时，应工作在（）A、饱和区B、非饱和区C、截止区D、击穿区
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管
MOS管是一种（）。A、电压控制元件B、电流控制元件
使用万用表进行检测时，应注意哪些事项有（）。A、测量元件的电阻时应断开电源B、测量电感元件时应先放电C、测量电容量时应先放电D、测量交流电压时，应注意试棒的极性，接错时会损坏仪表E、测量直流电压时，若对电压估计不准，应先置较大量程试测
对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。A、MOS集成电路B、HTL集成电路C、TTL集成电路D、分立电路
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力场效应管MOSFET在使用和存放时，要防止（）A、时间久而失效B、二次击穿C、静电击穿D、饱和
使用MOS类数字集成电路时，为防止（），人体和工具都要妥善接地。A、软击穿B、热击穿C、短路D、静电损害
架空地线复合光缆（OPGW）在进站门型架处应（），防止一次线路发生短路时，光缆被感应电压击穿而中断。A、安装牢固；B、标示清楚；C、可靠接地；D、封堵严密。
填空题整流元件在串联使用时，为防止电压分配不均，而造成元件击穿，常采用与每只整流元件（）的方法进行均压，以保护整流元件。