关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）
- A、Cl通道开放可降低IPSP
- B、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
- C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
- D、IPSP使神经元的兴奋性增加
- E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
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兴奋性突触传递过程为() A、突触前膜释放兴奋性递质B、递质与突触后膜受体结合C、突触后膜对Cl-、K+(尤其对Cl-)通透性增加D、突触后膜产生EPSPE、EPSP总和达到阈电位，突触后神经元产生动作电位
对突触后抑制与突触前抑制特征比较的叙述,错误的是() A、前者发生于突触后膜，后者发生于突触前膜B、前者中间神经元是抑制性的，后者中间神经元为兴奋性的C、前者为超极化抑制，后者为去极化抑制D、两者抑制都与IPSP有关E、两者最终均使突触后神经元抑制
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述，哪一项是错误的A．突触前末梢去极化B．Ca2+由膜内进入突触前膜内C．突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D．突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E．突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是()A.突触后膜对Cl-或K+的通透性升高B.突触前轴突末梢去极化C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.Ca2+由膜外进人突触前膜内E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化B.Ca由膜外进入突触前膜内C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）ACl-通道开放可降低IPSPB多由抑制性中间神经元发放的冲动产生CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化DIPSP使神经元的兴奋性增加EIPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关
单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（ ）。ACa2＋由膜外进入突触前膜内B突触前末梢去极化C突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D突触后膜对K＋或Cl-的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
单选题关于抑制性突触后电位（IPSP），下述哪项错误（）ACl通道开放可降低IPSPB多由抑制性中间神经元发放的冲动产生CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化DIPSP使神经元的兴奋性增加EIPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A突触前轴突末梢去极化BCa2+由膜外进入突触前膜内C突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（ ）。ACa2+由膜外进入突触前膜内B突触前末梢去极化C突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D突触后膜对K+、Cl-或Cl-的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动