抑制性突触电位产生的机制是A.突触前膜释放抑制性递质B.递质与突触后膜受体结合C.突触后膜对Cl-通透性增加D.后膜去极化

抑制性突触电位产生的机制是

A.突触前膜释放抑制性递质
B.递质与突触后膜受体结合
C.突触后膜对Cl-通透性增加
D.后膜去极化

参考解析

解析:

相关考题:

请简要说明抑制性突触后电位是怎样产生的?

脑电波的形成机制是大量皮层神经无同时发生() A、工作电位B、诱发电位C、兴奋性突触后电位D、抑制性突触后电位E、突触后电位同步总和

突触前抑制是由于突触前膜 ( )A.兴奋性递质释放减少B.产生抑制性突触后电位C.释放抑制性递质D.递质耗竭E.产生超极化

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括A、兴奋性突触后电位和局部电位B、抑制性突触后电位和局部电位C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生( )。A.工作电位B.诱发电位C.兴奋性突触后电位D.抑制性突触后电位E.突触后电位同步总和

抑制性突触后电位产生的离子机制是()A.内流B.内流C. 内流D. 内流E. 外流

突触前抑制是由于突触前膜A、产生抑制性突触后电位B、释放抑制性递质C、产生超极化D、兴奋性递质释放减少E、递质耗竭

突触前抑制是由于突触前膜A.产生超极化B.释放抑制性递质C.兴奋性递质释放减少D.产生抑制性突触后电位

抑制性突触后电位A.由突触前末梢递质释放减少而产生B.使突触后膜电位远离阈电位水平C.由突触后膜Na+电导增加而产生D.是一种去极化抑制的突触后电位

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对( )的通透性增加所致。

突触后抑制(  )A.是通过抑制性中间神经元实现的B.突触后膜产生抑制性突触后电位C.产生回返性抑制或交互抑制D.是兴奋性神经元直接引起突触后神经元产生抑制E.属于超极化抑制

脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生?()A、工作电位B、诱发电位C、兴奋性突触后电位D、抑制性突触后电位E、突触后电位同步总和

兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化

产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP

单选题产生突触前抑制的机制是()A突触前膜阈电位水平抬高B突触前末梢递质释放减少C突触前末梢释放抑制性递质D由抑制性中间神经元中介E突触后膜产生IPSP

单选题突触前抑制产生的原因是突触前膜(  )。A递质耗竭B释放抑制性递质C产生超极化D兴奋性递质释放减少E产生抑制性突触后电位

单选题脑电波的形成机制是大量皮层神经元同时发生?()A工作电位B诱发电位C兴奋性突触后电位D抑制性突触后电位E突触后电位同步总和

单选题产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A突触前末梢递质释放减少B突触后膜Ca2+电导降低C突触后膜Na+电导降低D中间神经元受抑制E突触后膜发生超极化

多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

单选题由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括()A兴奋性突触后电位和局部电位B抑制性突触后电位和局部电位C兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位D兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位E兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位

问答题兴奋性突触后电位与抑制性突触后电位分别是如何产生的?

单选题关于棘慢复合波的产生机制,正确的是(  )。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成,慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成,慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成

单选题突触前抑制是由于突触前膜()A产生超极化B释放抑制性递质C递质耗竭D兴奋性递质释放减少E产生抑制性突触后电位

单选题抑制性突触后电位()A由突触前末梢递质释放减少而引起B使突触后膜电位远离阈电位水平C由突触后膜Na+电导增加而产生D由突触后膜Ca2+电导增加而产生E是一种去极化抑制的突触后电位

问答题兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位形成的机制是什么?