IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使突触后膜的A. K+通道开放 B. Na+通道开放 C. Ca2+通道开放 D. Cl一通道开放

IPSP的产生机制为抑制性递质作用于突触后膜,使突触后膜的
A. K+通道开放 B. Na+通道开放 C. Ca2+通道开放 D. Cl一通道开放


参考解析

解析:抑制性突触后电位(IPSP)的产生机制是抑制性递质作用于突触后膜,使突触后膜上的配体门 控Cl-通道开放,内流,突触后膜超极化。此外,IPSP的形成还可能与突触后膜K +通道开放或Na+、 Ca2+通道的关闭有关。

相关考题:

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的A.突触前末梢去极化B.Ca2+由膜内进入突触前膜内C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动

下述关于兴奋突触传递过程的论述,哪一项是错误的?A. 突触前膜去极化B. Ca2+进入突触前膜C. 突触前膜释放兴奋性递质D. 突触后膜对Na+通透性增强E. 突触后膜产生IPSP经总和产生动作电位

下列关于IPSP产生过程的叙述,哪一项是错误的?A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP

突触前抑制是由于突触前膜A、产生抑制性突触后电位B、释放抑制性递质C、产生超极化D、兴奋性递质释放减少E、递质耗竭

突触后膜超极化A.突触前膜去极化B.突触前膜外的Ca2+内流C.递质释放D.产生突触后电位E.抑制性突触后电位

抑制性突触电位产生的机制是A.突触前膜释放抑制性递质B.递质与突触后膜受体结合C.突触后膜对Cl-通透性增加D.后膜去极化

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化

关于突触前抑制的正确描述是()A、突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B、突触前膜超极化,释放抑制性递质C、突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D、突触前膜去极化,释放抑制性递质

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()A、Cl-通道开放可降低IPSPB、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化D、IPSP使神经元的兴奋性增加E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜钾离子通道磷酸化而关闭B、进入突触前末梢内的钙离子减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、通过抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP

产生突触前抑制的机制是()A、突触前膜阈电位水平抬高B、突触前末梢递质释放减少C、突触前末梢释放抑制性递质D、由抑制性中间神经元中介E、突触后膜产生IPSP

单选题产生突触前抑制的机制是()A突触前膜阈电位水平抬高B突触前末梢递质释放减少C突触前末梢释放抑制性递质D由抑制性中间神经元中介E突触后膜产生IPSP

单选题产生突触前抑制的机制是(  )。A突触前膜K+通道磷酸化而关闭B进入突触前末梢内的Ca2+减少C突触前末梢释放抑制性递质D通过抑制性中间神经元中介E突触后膜产生IPSP

单选题突触前抑制产生的原因是突触前膜(  )。A递质耗竭B释放抑制性递质C产生超极化D兴奋性递质释放减少E产生抑制性突触后电位

单选题产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()A突触前末梢递质释放减少B突触后膜Ca2+电导降低C突触后膜Na+电导降低D中间神经元受抑制E突触后膜发生超极化

多选题下列有关突触前抑制的叙述,正确的是:()A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP(兴奋性突触后电位)幅度减小E引起突触后膜产生IPSP(抑制性突触后电位)幅度增大

单选题关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()。ACl-通道开放可降低IPSPB多由抑制性中间神经元发放的冲动产生CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化DIPSP使神经元的兴奋性增加EIPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

单选题突触前抑制是由于突触前膜()A产生超极化B释放抑制性递质C递质耗竭D兴奋性递质释放减少E产生抑制性突触后电位

单选题抑制性突触后电位()A由突触前末梢递质释放减少而引起B使突触后膜电位远离阈电位水平C由突触后膜Na+电导增加而产生D由突触后膜Ca2+电导增加而产生E是一种去极化抑制的突触后电位

单选题关于突触前抑制的正确描述是()A突触前神经元兴奋性降低,使突触后膜出现超极比电位B突触前膜超极化,释放抑制性递质C突触前膜去极化,兴奋性递质释放减少D突触前膜去极化,释放抑制性递质

单选题关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()ACl通道开放可降低IPSPB多由抑制性中间神经元发放的冲动产生CIPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化DIPSP使神经元的兴奋性增加EIPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关