产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）A、突触前末梢递质释放减少B、突触后膜Ca2+电导降低C、突触后膜Na+电导降低D、中间神经元受抑制E、突触后膜发生超极化
产生抑制性突触后电位（IPSP）的主要机制是（）
- A、突触前末梢递质释放减少
- B、突触后膜Ca2+电导降低
- C、突触后膜Na+电导降低
- D、中间神经元受抑制
- E、突触后膜发生超极化
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下列关于IPSP产生过程的叙述，哪一项是错误的？A. 突触前膜超极化B. Ca2+经突触前膜进入突触小体C. 突触前膜释放抑制性递质D. 突触后膜对Cl-通透性增强E. Cl-内流产生IPSP
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A、突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B、突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C、突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D、突触后膜出现超极化电位
多选题下列有关突触前抑制的叙述，正确的是：（）A引起突触前膜部分的预先去极化B引起突触前膜动作电位幅度减小C引起突触前膜释放递质减少D引起突触后膜产生EPSP（兴奋性突触后电位）幅度减小E引起突触后膜产生IPSP（抑制性突触后电位）幅度增大
单选题关于兴奋性突触后电位的说法，正确的是（ ）。A即突触后神经元处于兴奋状态B由突触后膜K＋电导增加而产生C可随突触前递质释放增多而加大D由突触后膜Ca2＋电导增加而产生E由突触后膜K＋外流大于Na＋内流而产生
单选题抑制性突触后电位（）A由突触前末梢递质释放减少而引起B使突触后膜电位远离阈电位水平C由突触后膜Na+电导增加而产生D由突触后膜Ca2+电导增加而产生E是一种去极化抑制的突触后电位