关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）A、突触前轴突末梢去极化B、Ca2+由膜外进入突触前膜内C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于抑制性突触后电位产生过程的描述，错误的是（）
- A、突触前轴突末梢去极化
- B、Ca2+由膜外进入突触前膜内
- C、突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合
- D、突触后膜对Cl-或K+的通透性升高
- E、突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
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关于呼叫的建立描述,下列哪种说法是错误的?() A.SDCCH与SACCH是成对产生的B.SDCCH与TCH是成对产生的C.TCH与SACCH是成对产生的D.TCH与FACCH不是成对产生的
关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，哪一项是不正确的A.突触前末梢去极化B.Ca由膜外进入突触前膜内C.突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D.突触后膜对K、Cl或Cl的通透性升高E.突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
关于过程块以及过程赋值描述中，下列正确的是（）A、在过程赋值语句中表达式左边的信号一定是寄存器类型B、过程块中的语句一定是可综合的C、在过程块中，使用过程赋值语句给wire赋值不会产生错误D、过程块中时序控制的种类有简单延迟、边沿敏感和电平敏感
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（）A突触前轴突末梢去极化，Ca2+由膜外进入突触前膜内B突触前轴突末梢释放兴奋性递质减少C突触后膜对K+、C1-，特别是Cl-的通透性增高D突触后膜出现超极化电位
单选题以下关于酵母人工染色体（YAC）在细胞分裂过程中发生分离错误的描述，正确的是（）。A11000bp的YAC将产生50%的错误B55000bp的YAC将产生1.5%的错误C长于100000bp的YAC产生0.3%的错误D以上都对
单选题关于抑制性突触后电位产生过程的描述，哪一项是错误的？（ ）A突触前轴突末梢去极化BCa2+由膜外进入突触前膜内C突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D突触后膜对Cl-或K+的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
单选题关于棘慢复合波的产生机制，正确的是（ ）。A棘波、慢波是由兴奋性突触后电位构成B棘波、慢波是由抑制性突触后电位构成C棘波是由抑制性突触后电位构成，慢波是由兴奋性突触后电位构成D棘波是由兴奋性突触后电位构成，慢波是由抑制性突触后电位构成E棘波、慢波是由突触前电位构成
单选题下列关于抑制性突触后电位的产生过程的描述，错误的是（ ）。ACa2＋由膜外进入突触前膜内B突触前末梢去极化C突触小泡释放递质，并与突触后膜受体结合D突触后膜对K＋或Cl-的通透性升高E突触后膜膜电位增大，引起突触后神经元发放冲动
问答题试述兴奋性与抑制性突触后电位的作用与产生原理。