问答题MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

问答题
MOS管的IDS大小除与源漏电压和栅极电压有关外，还与哪些因素有关？

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场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
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场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。 A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
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一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
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增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
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描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
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一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
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互感器的合成误差除与互感器的比差、角差有关外，还与（）有关。A、工作电压B、负载电流C、负载功率因数
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MOS管是用栅极电流来控制漏极电流大小的。
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功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
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在MOS门电路中，欲使NMOS管导通可靠，栅极所加电压应小于开启电压UTN。（）
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场效应晶体管是用栅极电压控制漏极电流的。
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MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）
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场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
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下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
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源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
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在MOS门电路中，欲使FMO3管导通，栅极所加电压应（）开启电压（Ure0）。A、大于B、小于C、等于D、任意
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互感器合成误差除与互感器的比差、角差有关外，还与（）有关。A、电压B、电流C、负载功率因数
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利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
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填空题起升载荷大小除与起升质量有关外，还与（）、（）、（）、（）及操作情况（）等有关。
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判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
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单选题微波用于消毒时，消毒效果除与暴露时间有关外，还与微波炉的哪项指标有关？（　　）A输入功率B输出功率C电阻D电压E微波炉的材质
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填空题声强级、声压级的数值大小除与声源本身的特征有关外，还与（）。
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单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
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单选题MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A栅极（G）B漏极D.CC.基极D源极（S）
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单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极
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