一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10

一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。

A、0

B、1

C、5

D、10

相关考题：

场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压

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MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板

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当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

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2、某N沟道耗尽型MOSFET，其阈值电压为-2V，增益因子β为2A/V2。当栅极电压为3V，漏极电压为4V时，器件的漏源电流为（）。A．12AB．25AC．36AD．40A

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2、当MOSFET的栅极电压较大时，随着温度的温度升高，漏极电流将（）。

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某N沟道增强型MOSFET，其源和衬底接地，栅极和漏极始终短接。当栅极电压为3V时，测得漏源电流IDS为1mA；当栅极电压为4V时，测得漏源电流IDS为9mA。（1）试计算该器件的VT 和β。（2）当栅极电压为5V时，器件的跨导为多少？

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5、MOSFET出厂时，如果衬底未与源极相连，则 _____________在使用时可互换。A．栅极与源极B．漏极与源极C．栅极与漏极D．衬底与源极

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电力MOSFET的三个端子是栅极G、源极S、漏极D。

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1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。A．栅漏，漏极，电流控制电流B．栅源，漏极，电压控制电流C．漏源，漏极，电流控制电压D．栅源，栅极，电流控制电压

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