当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
当给二极管加()电压时,由于内部的PN结截止,此时二极管不导通,相当于断开的开关,称二极管截止。 A、正向B、反向C、双向D、逆向
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。
当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。 A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
硅二极管的正向导通电压为（）伏左右。A、0﹒2B、0﹒7C、1D、0﹒4
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路
在二极管两端加上正向电压时，电流与电压的关系正向特性。通常硅管为（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
当硅晶体二极管加上0.3V正向电压时，该晶体二极管相当于（）A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、接通的开关
当二极管加正向电压时，二极管就（），而当二极管加反向电压时，二极管就（），这叫二极管的（）特性。
硅二极管正向导通电压应为（）。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大
当硅二极管正向施加超过1V以上的电压时，则（）。A、二极管电流增大B、二极管过流损坏C、二极管击穿D、二极管电流基本不变
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在工程估算中，硅二极管的正向导通电压取（）V，锗二极管的正向导通电压取（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
当二极管正向偏置电压小于死区电压时二极管才能导通。
当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、立即导通B、到0.3V时才开始导通C、超过死区电压时才开始导通D、不导通
当加在二极管两端的正向电压从0开始逐渐增大时，硅二极管（）。A、超过死区电压时才开始导通B、到0.3才开始导通C、立即导通
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
填空题当二极管加正向电压时，二极管就（），而当二极管加反向电压时，二极管就（），这叫二极管的（）特性。
填空题硅二极管的正向电压降一般为（）左右;锗二极管的正向电压一般为（）左右。