当加在硅二极管两端的正向电压从0开始逐渐增加时,硅二极管() A、立即导通B、到0.3V才开始导通C.、超过死区电压时才开始导通
晶体二极管加正向电压时,电阻值越小越好,最好为零。() 此题为判断题(对，错)。
当硅二极管加上0.4V正向电压时,该二极管相当于()。 A、很小的电阻B、很大的电阻C、短路
锗晶体二极管的()电压降比硅晶体二极管小。()电流比硅晶体二极管大。
晶体二极管具有()导电性、即加正向电压二极管(),加反向电压就()。
晶体二极管的主要特性参数有：①最大正向电流；②反向电流；③反向×××电压。
无论是哪种类型的晶体二极管，其正向电压都是0.3V左右。（）
晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
硅二极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若超过死区电才导道
硅稳压管是具有特殊（）特性的晶体二极管。A、正向B、反向C、双向D、多向
晶体二极管所加正向电压小于其截止区电压时，则二极管处于（）状态。A、导通B、截止C、电击穿D、热击穿
当硅二极管加上0.3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、阻值很大的电阻B、小阻值电阻C、内部短路D、内部开路
晶体二极管正向导通的条件是其正向电压值（）。A、＞0VB、＞0.3VC、＞0.7VD、＞死区电压
晶体二极管具有正向特性，硅管的死区电压为（）。A、0—0.2VB、0—0.5VC、0—0.4VD、0—0.3V
当硅二极管加上0、3V正向电压时，该二极管相当于（）。A、小阻值电阻B、阻值很大的电阻C、内部短路D、断路
对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A、正向电阻很小B、反向电阻很大C、正向电压大于死区电压时才能导通D、反向电压多大都不会导通
硅三极管两端加上正向电压时（）。A、立即导通B、若超过0.3V才导通C、若越过死区电压就导通
如果晶体二极管的正向电阻都很大，则该晶体二极管（）A、正常B、已经击穿C、内部断路D、不确定
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
晶体二极管的特性：具有单向导电性，只有在正向电压时截止，而在反向电压时不能导通，即它使电流只能从负极流向正极。
在晶体二极管特性的正向区，晶体管相当于断开的开关。
单选题硅三极管两端加上正向电压时（）。A立即导通B若超过0.3V才导通C若越过死区电压就导通
单选题对于晶体二极管，下列说法不正确的是：（）A正向电阻很小B反向电阻很大C正向电压大于死区电压时才能导通D反向电压多大都不会导通
单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A正向电压B正向电流C正向电极D正向电路
判断题在晶体二极管特性的正向区，晶体管相当于断开的开关。A对B错