()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR
IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
电力MOSFET的通态电阻Ron具有______的温度系数,并联使用时具有______的能力,因而___使用比较容易。
SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应
利用手体电阻随温度变化而变化的特性制成的传感器为热电势温度传感器
MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
火花塞的热特性主要决定于火花塞绝缘体裙部长度，绝缘体裙部短，裙部温度低，称为（）。
作物生长发育对温度高低和日照长短的反应特性被称为（）。A、温光反应特性B、温度反应特性C、光照反应特性D、温度日照反应特性
下列选项中，（）不是P-MOSFET的一般特性。A、转移特性B、输出特性C、开关特性D、欧姆定律
MOSFET管的全称是金属－氧化物－半导体场效应管，其最重要的特点是（）；A、具有非常高的输入电阻；B、具有非常小的输入电阻；C、具有单向导通特性；
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
填空题MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
判断题利用手体电阻随温度变化而变化的特性制成的传感器为热电势温度传感器A对B错
填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
填空题电力MOSFET的基本特性有（）、（）和（）三种。
填空题热噪声的频域特性表现为（）、时域特性表现为（）、统计特性表现为（）。
填空题IGBT 的开启电压UGE（th）随温度升高而（），开关速度（）电力MOSFET 。
问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。