IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。 A、GTMB、GTNC、GTOD、GTR

IGBT综合了()和MOSFET的优点,具有良好的特性。

A、GTM

B、GTN

C、GTO

D、GTR

相关考题：

试说明GTR,MOSFET和IGBT各自优点和缺点。
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下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应
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7、IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。
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比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
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30、下列关于IGBT和电力MOSFET的说法正确的有A．IGBT开关速度高于电力MOSFETB．IGBT是电压驱动型器件C．电力MOSFET存在二次击穿问题D．IGBT具有擎住效应
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IGBT综合了P-MOSFET和GTR的优点，具有输入阻抗高、工作速度快、通态电压低、阻断电压高、承受电流大的优点。
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【判断题】绝缘栅双极型晶体管（IGBT）综合了GTR和MOSFET的优点，因而具有低导通压降和高输入阻抗的综合优点。A．Y.是B．N.否
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2、比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
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IGBT综合了BJT和MOSFET的优点（）。
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