问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
问答题
从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。
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相关考题：
SCR、GTR、GTO、VMOSFET和IGBT几种常用电力电子器件中,按开关频率从低到高依次排列的顺序为()。 A.SCR、GTR、GTO、VMOSFE、IGBTB.SCR、GTO、GTR、VMOSFE、IGBTC.GTO、SCR、GTR、IGBT、VMOSFED.SCR、GTO、GTR、IGBT、VMOSFE
GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
在如下器件：电力二极管（Power Diode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）、绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是（），属于半控型器件的是（），属于全控型器件的是（）；属于单极型电力电子器件的有（），属于双极型器件的有（），属于复合型电力电子器件得有（）；在可控的器件中，容量最大的是（），工作频率最高的是（），属于电压驱动的是电力（）属于电流驱动的是（）。
单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中，哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件（）。AGTO和GTR；BTRIAC和IGBT；CMOSFET和IGBT；DSCR和MOSFET；
填空题功率开关器件：主要采用（）或（）；现在已经采用一种新型的开关组合方式：MOSFET和IGBT（）。