晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。
三极管的输出特性曲线可分三个区,即饱和区、截止区和放大区。() 此题为判断题(对，错)。
通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.放大区E.线性区
三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区
在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A、可调电阻区B、饱和区C、击穿区D、负阻区
的输出特性曲线中共有：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿五个区。作为开关元件一般来说应工作在截止和（）区。
在输出特性曲线上，满足IC=HFEIB关系的区域是：（）.A、放大区B、截止区C、饱和区D、击穿区
晶体三极管输出特性分为三个区，分别是（）。A、饱和区、开关区和截止区B、开关区、导通区和截止区C、开关区、放大区和导通区D、放大区、饱和区和截止区
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区
GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。
根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A、放大区B、截止区C、饱和区D、容抗
根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为（）、饱和区、截止区和击穿区。
在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
场效应管用作α信号放大时，其静态工作点应设置在输出特性曲线的（）A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区
MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
晶体三极管输出特性分为三个区，分别是（）。A、饱和区、截止区和开关区B、截止区、饱和区和导通区C、截止区、饱和区和放大区D、截止区、开关区和放大区
晶体三极管输出特性分为三个区分别是（）。A、饱和区、开关区和截止区B、开关区、导通区和截止区C、放大区、饱和区和截止区D、开关区、放大区和导通区
三极管的输出特性曲线可分成三个区域即（）。A、放大区、饱和区、截止区B、放大区、饱和区、短路区C、放大区、导通区、截止区D、放大区、饱和区、断路区
填空题MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
判断题GTR的输出特性曲线中共分五个区：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿。作为开关元件一般来说应工作在截止和浅饱和区。A对B错
单选题在放大电路中，场效应管工作在漏极特性曲线的（）区域。A可调电阻区B饱和区C击穿区D负阻区
填空题晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。
填空题根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
填空题的输出特性曲线中共有：截止、放大、浅饱和、深度饱和、击穿五个区。作为开关元件一般来说应工作在截止和（）区。
多选题根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗