电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。A、电导调制效应B、正的温度系数C、负的温度系数D、擎住效应
电力MOSFET通态电阻具有(),并联使用具有电流自动均衡能力,易于并联。
A、电导调制效应
B、正的温度系数
C、负的温度系数
D、擎住效应
相关考题：
下列不是IGBT并联运行的特点的是（ ）A.在1/2或1/3额定电流以下的区段，通态降压具有负的温度系数B.在1/2或1/3额定电流以上的区段，通态降压具有正的温度系数C.并联使用时具有电流的自动均衡能力D.串联使用时具有电流的自动均衡能力
有关MOSFET的通态电阻，下面表述正确的是：A．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。B．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。C．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。D．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？A．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。B．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。C．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。D．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是：A．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。B．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。C．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。D．其他
有关MOSFET的通态电阻，表述正确的是哪个？A．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流不利。B．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，不能并联使用。C．MOSFET的通态电阻具有正温度系数，此特性对器件并联时的均流有利。D．MOSFET的通态电阻具有负温度系数，对器件并联时的均流有利。