IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0

IGBT是ー个复合型的器件,它是()。

A、GTR驱动的MOSFET

B、MOSFET驱动的GTR

C、MOSFET驱动的晶闸管

D、MOSFET驱动的GT0


相关考题:

()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH

驱动电力MOSFET有多种集成芯片。()

IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO

下列器件属于电压驱动型的是()。A、IGBTB、GTRC、GTOD、晶闸管

与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

功率MOSFET驱动功率小,驱动电路简单,功率增益高,是一种()控制器件。A、电压B、电流C、功率

UPS常用的电力电子器件有:()A、GTR;B、MOSFET;C、IGBT;D、SCR

IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

说明IGBT、GTO、GTR、MOSFET的优缺点。

从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

IGBT是一个复合型的器件,它是()。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO

试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

在如下器件:电力二极管(Power Diode)、晶闸管(SCR)、门极可关断晶闸管(GTO)、电力晶体管(GTR)、电力场效应管(电力MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)中,属于不可控器件的是(),属于半控型器件的是(),属于全控型器件的是();属于单极型电力电子器件的有(),属于双极型器件的有(),属于复合型电力电子器件得有();在可控的器件中,容量最大的是(),工作频率最高的是(),属于电压驱动的是电力()属于电流驱动的是()。

简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。

简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。

电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

问答题简述IGBT和功率MOSFET对驱动电路的要求。

单选题IGBT是一个复合型的器件,它是()。AGTR驱动的MOSFETBMOSFET驱动的GTRCMOSFET驱动的晶闸管DMOSFET驱动的GTO

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。

问答题IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET的驱动电路各有什么特点?

单选题GTR、SCR、GTO、TRIAC、MOSFET、IGBT中,哪些是开关电源中变压器常用的驱动元件()。AGTO和GTR;BTRIAC和IGBT;CMOSFET和IGBT;DSCR和MOSFET;

填空题与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

填空题电力MOSFET和IGBT属于()(电压,电流)驱动型器件。属于电流型驱动的器件有()、()、()等。

问答题简要说明全控型电力电子器件GTO、GTR、MOSFET和IGBT各自的优缺点。

问答题从最大容量、开关频率和驱动电路三方面比较SCR、Power MOSFET和IGBT的特性。

填空题在SCR(Silicon Controlled Rectifier)、GTO(Gate Turn-Off Thyristor)、GTR(Giant Transistor)、MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)中半控型器件有(),全控型器件有(),电流驱动器件有()。