二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
晶闸管一旦导通,若在门极加反压,则该晶闸管将()。 A、继续导通B、马上关断C、不能确定D、缓慢关断
一个理想的功率半导体器件应该是在导通状态时,具有高的电流密度和低的导通压降。()
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。 此题为判断题(对，错)。
通态平均电压是指晶闸管导通后，A、K极之间在一个周期内的平均电压值，称为（）。A、管压降B、正向电压C、反向电压D、平均电压
晶闸管导通时的管压降约（）V。A、0.1B、1C、3D、5
晶闸管一旦导通，若在门极加反压，该晶闸管将（）。A、继续导通B、马上关断C、不能确定D、缓慢关断
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
管压降是指二级管导通时的（）A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
晶闸管导通后的管压降为（）左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6～0.7V
晶闸管导通后，本身的压降约为（）V左右，称为通态平均电压。A、0.5B、0.7C、1D、3
普通二级管导通后两端的电压叫（）A、导通电压B、管压降C、击穿电压
晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。A、零B、0.3VC、1V左右
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
串流电感式电压型逆变器晶闸管导通角度是（），串流二极管式电流型逆变器晶闸管导通角度是（）。
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
所谓的过零触发就是在电源电压过零时给予晶闸管触发脉冲使得晶闸管始终处于全导通状态。
整流电路在换流过程中，（）的时间用电角度表示称为换相重叠角。A、晶闸管导通B、两个晶闸管同时导通C、两个相邻相的晶闸管同时导通D、两个二极管同时导通
晶闸管电路中若晶闸管两端没有过压保护，可能发生晶闸管不导通故障。
问答题试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
填空题串流电感式电压型逆变器晶闸管导通角度是（），串流二极管式电流型逆变器晶闸管导通角度是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
单选题普通二级管导通后两端的电压叫（）A导通电压B管压降C击穿电压