二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
晶闸管刚刚由断态转入通态并去掉触发门极信号后,仍能保持其导通状态的最小阳极电流称为()。A、通态平均电流IT(AV)B、维持电流IHC、擎住电流ILD、通态浪涌电流ITSM
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。 此题为判断题(对，错)。
通态平均电压是指晶闸管导通后，A、K极之间在一个周期内的平均电压值，称为（）。A、管压降B、正向电压C、反向电压D、平均电压
可控硅导通后，管压降一般约为（）V左右A、0.3B、1C、0.7D、1.5
晶闸管导通时的管压降约（）V。A、0.1B、1C、3D、5
晶闸管导通后，去掉门极电压或加负的门极电压，晶闸管仍然导通。
晶闸管刚从断态转入通态并移除触发信号后，能维持导通所需的最小电流是（）。A、通态平均电流B、维持电流C、擎住电流D、浪涌电流
晶闸管导通后，阳极与阴极间的正向电压很小，约为（）V左右。A、1B、2C、3D、4
晶闸管导通后的管压降为（）左右。A、1VB、1.2VC、0.8VD、0.6～0.7V
晶闸管的功耗是通态平均电压与通态平均电流的乘积。所以说可控硅的通态平均电压越大越好。
可控硅导通后，其压降（）左右。 A、0.2VB、0.5VC、1V
晶闸管导通后，去掉控制极上的电压，晶闸管继续导通，说明晶闸管一旦导通之后，控制极就失去控制作用。
晶闸管的阳极直流电位是20V，阴极电位是0V，给控制极3V触发电压，此时晶闸管导通；当取消3V触发电压时，晶闸管（）。A、截止B、导通截止C、导通D、截止导通
晶闸管导通后，其正向压降约等于（）。A、零B、0.3VC、1V左右
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
晶闸管的主要参数有（）。A、正向断态重复峰值电压UDRMB、反向重复峰值电压URRMC、通态平均电流IT（AV） D、通态平均管压降UT（AV） E、维持电流IH
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
在晶闸管导通后，如果对门极加反向电压，则晶闸管不能继续导通。
晶闸管导通后，通过晶闸管的电流决定于（）。A、电路的负载B、晶闸管的通态平均电流C、触发电压D、晶闸管阳阴极间电压
单选题晶闸管的阳极直流电位是20V，阴极电位是0V，给控制极3V触发电压，此时晶闸管导通；当取消3V触发电压时，晶闸管（）。A截止B导通截止C导通D截止导通
单选题可控硅导通后，其压降（）左右。A0.2VB0.5VC1V
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。