二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
一个理想的功率半导体器件应该是在导通状态时,具有高的电流密度和低的导通压降。()
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
在采用万用表的欧姆挡检测二极管的极性时一般使用______挡，这是因为______。A.R×100／防止过压反向击穿二极管B.R×100／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏C.R×1／防止过压反向击穿二极管D.R×1／防止二极管导通时正向电流过大而烧坏
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7
晶体二极管的特性，只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A、正向电压B、正向电流C、正向电极D、正向电路
二极管导通时的正向电压称为正向压降（或管压降）。一般正常工作时，硅管的正向压降是（）V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
管压降是指二级管导通时的（）A、压降B、反向压降C、正向压降D、电压降
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压是（）V，导通后在较大电流下时正向压降约（）V。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为（）伏；其门坎电压Vth约为（）伏。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
试说明功率二极管为什么在正向电流较大时导通压降仍然很低，且在稳态导通时其管压降不随电流的大小而变化。
红色发光二极管导通时的正向压降约为（）。A、0.7VB、1.4VC、2.1VD、根据电流变化，无法确定
单选题常温下，硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为（）V。A0.1B0.3C0.5D0.7
单选题晶体二极管的特性：只有在（）时导通，而在反向电压时不能导通。A正向电压B正向电流C正向电极D正向电路
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。