晶 体 管 参 数 受 温 度 影 响 较 大，当 温 度 升 高 时，晶 体 管 的β、ICBO、UBE的 变 化情 况 为（）。A．β 增 大、ICBO 和 UBE减 小B．β 和ICBO增 大、UBE减 小C．β 和UBE减 小、ICBO增 大D．ICBO、UBE都 增 大
晶 体 管 参 数 受 温 度 影 响 较 大，当 温 度 升 高 时，晶 体 管 的β、ICBO、UBE的 变 化情 况 为（）。
A．β 增 大、ICBO 和 UBE减 小
B．β 和ICBO增 大、UBE减 小
C．β 和UBE减 小、ICBO增 大
D．ICBO、UBE都 增 大
参考答案和解析
β和ICBO增加，UBE减小。
相关考题：
当温度T升高时,晶体三极管的参数有如下变化规律()。 A、b增大，UBE增大，ICBO增大B、b减小，UBE减小，ICBO减小C、b增大，UBE减小，ICBO增大D、b减小，UBE增大，ICBO减小
晶体管的参数受温度的影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO、UBE的变化情况为（）。A.β和ICBO增加，UBE减小B.β和UBE减小，ICBO增加C.β增加，ICBO和UBE减小D.β、UBE和ICBO都增加
晶体管的参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β、ICBO和UBE的变化情况分别为（ ）。A．β增加，ICBO和UBE减小B．β和ICBO增加，UBE减小C．β和UBE减小，ICBO增加D．β、ICBO和UBE都增加
下贝氏体、回火位错马氏体、回火孪晶马氏体三种组织的断裂韧性由大到小的顺序为（）A、下贝氏体＞M位错＞M孪晶B、M位错＞M孪晶＞下贝氏体C、M位错＞下贝氏体＞M孪晶D、M位错＝下贝氏体＝M孪晶
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）A、β增加，ICBO，和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增增加D、β、ICBO和uBE都增加
晶体管参数受温度影响较大，当温度升高时，晶体管的β，ICBO，uBE的变化情况为（）。A、β增加，ICBO和 uBE减小B、β和ICBO增加，uBE减小C、β和uBE减小，ICBO增加D、β、ICBO和uBE都增加
单选题非晶硅平板探测器基本结构为（ ）。A碘化铯闪烁体层、硒层和集点矩阵层、行驱动电路、图像信号读取电路B碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路C硒层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路D非晶硅层、非晶硅光电二极管阵列、行驱动电路、图像信号读取电路E碘化铯闪烁体层、非晶硅光电二极管阵列、硒层和集点矩阵层、图像信号读取电路
单选题熔体析晶遵循形核－长大机理，I、U曲线峰值大小及位置直接影响析晶过程及制品性质，当I－U重叠面积大且过冷度大时，容易得到（）。A不能析晶，得到玻璃B晶粒少、尺寸大的粗晶C晶粒多、尺寸小的细晶D晶粒多，尺寸大的粗晶
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