三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
型号为2AK二极管是()二极管。 A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关
硅管比锗管受温度影响()。 A.较大B.较小C.相同
硅材料二极管性能比锗材料的稳定() 此题为判断题(对，错)。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
因反负饱合电流的影响，在温度变化较大的环境下三极管应选择（）管；A、锗；B、硅；C、锌；
硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
对于光电管的基本特性，下面说法正确的是（）。A、当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降。B、三极管的光照特性曲线有良好的线性。C、在零偏压时，二极管和三极管都没有光电流输出。D、温度变化对光电管的光电流影响很小，而对暗电流影响很大。E、锗光电二极管的温度特性比硅光电二极管好。
型号2AP9是（）二极管。A、锗普通B、硅普通C、锗开关D、硅开关
型号为2AP9的是（）二极管。A、锗普通B、硅普通C、锗开关D、硅开关
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
晶体管的PN结的正向压降为（）。A、锗管为0.3V左右B、锗管为0.7V左右C、硅管为0.3V左右D、硅管为0.7V左右
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
硅管比锗管受温变影响（）。A、较大B、较小C、相同D、不一定
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错