三极管3DG6是()三极管。 A、PNP型锗B、NPN型锗C、PNP型硅D、NPN型硅
型号为2AK二极管是()二极管。 A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关
硅管比锗管受温度影响()。 A.较大B.较小C.相同
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
测得一放大电路中三极管各级电压如图所示，则该三极管为（ ）。 A． NPN型锗管 B． NPN型硅管 C． PNP型锗管 D． PNP型硅管
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
在某放大电路中，测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V，则这只三极管为（）。A、NPN硅管B、NPN锗管C、PNP硅管D、PNP锗管
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
三极管3DG130C是（）。A、高频小功率PNP型锗管B、高频大功率NPN型锗管C、低频小功率PNP型硅管D、高频小功率NPN型硅管
硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
二极管2CP的意义是（）。A、N型硅材料普通管B、P型硅材料稳压管C、N型锗材料普通管D、P型锗材料稳压管
国产晶体管2CW表示（）。A、N型硅材料微波管B、P型锗材料稳压管C、N型硅材料稳压管D、P型锗材料微波管
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
硅管的导通电压比锗管大，反向电流比锗管（），温度稳定性比锗管（）。
按制作三极管的基片材料分，三极管可分为（）两大类。A、硅管和锗管B、硅管和铝管C、锗管和铝管D、铝管和锌管
NPN三极管为（）。A、硅三极管B、锗三极管C、可能是硅管或是锗管D、场效应管
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错