在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()

在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()


相关考题:

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。 A、增大B、不变C、减小D、不确定

型号为2AK二极管是()二极管。 A、锗开关B、锗普通C、硅普通D、硅开关

在判别锗、硅二极管时,当测出正向压降为()时,将认为此二极管为锗二极管;当测出正向压降为()时,将认为此二极管为硅二极管。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好。()

硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。A、0.3B、0.7C、1

硅二极管的反向电流比锗二极管大。

硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。

2CZ54D是()。A、N型硅整流二极管B、P型锗整流二极管C、N型硅整流稳压二极管D、P型锗整流开关二极管

当温度升高,硅二极管的反向饱和电流将()。A、减小B、不变C、增加D、取决于外加电压值

二极管按材料分锗二极管和硅二极管。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A、10μAB、15μAC、20μAD、40μA

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(),正向压降将()。

温度升高,对二极管的各种参数将发生影响,其中反向饱和电流将()

当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。A、增大B、不变C、减小

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

硅管的导通电压比锗管大,反向电流比锗管(),温度稳定性比锗管()。

当温度升高时,二极管反向饱和电流将()。A、增大B、减小C、不变D、等于零

硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小

锗二极管允许工作温度较硅二极管高,一般用其制成中、大功率的二极管。

单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V

单选题硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流()A大B小C相等D以上答案都不对

判断题二极管的反向饱和电流随温度的上升而减小。A对B错

单选题二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为()A10μAB15μAC20μAD40μA