硅管比锗管受温度影响()。 A.较大B.较小C.相同
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.NPN型硅管D.PNP型硅管
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。A、大B、小C、相等D、无法判定
硅二极管，它在反向电压下的漏电流比锗管小得多，但导通电压较高，约（）V。A、0.3B、0.7C、1
区分硅管和锗管是通过测量BE结的（）。A、正向电流B、反向电流C、正向电阻D、反向电阻
关于9013，下面（）是正确的。A、NPN硅管B、PNP硅管C、NPN锗管D、PNP锗管
硅管比锗管受温度影响（）。A、较大B、较小C、相同
锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
在相同温度下，硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的（）
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
锗管的PN结的允许温度比硅管PN结温度（）。A、高B、低C、相等D、不定
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
硅管比锗管受温变影响（）。A、较大B、较小C、相同D、不一定
硅二极管反向导通电流一般（）。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小，理论上锗二极管是0.3V，硅二极管是（）。A0.4VB0.5VC0.6VD0.7V
单选题硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流（）A大B小C相等D以上答案都不对
判断题锗管比硅管的接触电位差大，因此锗管比硅管的死区电压大。A对B错