下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。 A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。 C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。 D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
下面关于几种CVD方法的描述正确的是（）。
A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
B、等离子体增强化学气相淀积（PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统，低温淀积是其最主要优点。
C、低压化学气相淀积系统（LPCVD）淀积的某些薄膜，在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好，而且污染也少。
D、做CVD淀积钨时，采用六氟化钨WF6作为气体源，六氟化钨能 与衬底窗口处的硅反应，而不与二氧化硅、氮化硅反应, 所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。
参考答案和解析
ABC
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对于某种薄膜的CVD过程，淀积温度为900℃，质量传输系数hG=10cms-1，表面反应速率系数ks=1×107exp（-1.9eV/kT）cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择（1）冷壁，石墨支座型；（2）热壁，堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。
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