下面关于几种CVD方法的描述正确的是()。 A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜 B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。 C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。 D、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。下面关于几种CVD方法的描述正确的是()。A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。D、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

下面关于几种CVD方法的描述正确的是()。
A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜
B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。
C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。
D、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。

下面关于几种CVD方法的描述正确的是()。

A、LPCVD不能淀积二氧化硅薄膜

B、等离子体增强化学气相淀积(PECVD)是目前最主要的化学气相淀积系统,低温淀积是其最主要优点。

C、低压化学气相淀积系统(LPCVD)淀积的某些薄膜,在均匀性和台阶覆盖等方面比APCVD系统的要好,而且污染也少。

D、做CVD淀积钨时,采用六氟化钨WF6作为气体源,六氟化钨能
与衬底窗口处的硅反应,而不与二氧化硅、氮化硅反应,
所以钨可以选择性地沉积在硅接触窗口中。


参考答案和解析
ABC

相关考题:

低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关?淀积速率的测量采用什么办法?

采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜?这层膜的优点是什么?

热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。

对于某种薄膜的CVD过程,淀积温度为900℃,质量传输系数hG=10cms-1,表面反应速率系数ks=1×107exp(-1.9eV/kT)cms-1。现有以下两种淀积系统可供选择(1)冷壁,石墨支座型;(2)热壁,堆放硅片型。应该选用哪种类型的淀积系统并简述理由。

CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?

物理气相淀积最基本的两种方法是什么?简述这两种方法制备薄膜的过程。

二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。

损伤的分布与注入离子在在靶内的()的分布密切相关。A、能量淀积B、动量淀积C、能量振荡D、动量振荡

淀积粘化

淀积黏粒胶膜

有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?

名词解释题化学气相淀积

问答题化学气象淀积是什么?

问答题简述化学气相淀积的概念?

判断题在一个化学气相淀积工艺中,如果淀积速率是反应速率控制的,则为了显著增大淀积速率,应该增大反应气体流量。A对B错

单选题化学气相淀积SiO2与热生长SiO2相比较,下面哪些说法是正确的:()。  1.热生长SiO2只能在Si衬底上生长; 2.CVD SiO2可以淀积在硅衬底上,也可以淀积在金属、陶瓷、及其它半导体材料上; 3.CVD SiO2,衬底硅不参加反应; 4.CVD SiO2,温度低。A1、2B2、4C1、4D1、2、4E1、2、3、4

判断题LPCVD紧随PECVD的发展而发展。由660℃降为450℃,采用增强的等离子体,增加淀积能量,即低压和低温。A对B错

判断题CVD是利用某种物理过程,例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移,即原子或分子由源转移到衬底(硅)表面上,并淀积成薄膜。A对B错

判断题在LPCVD中,由于hGkS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是质量转移控制A对B错

判断题在LPCVD中,由于hGkS,即质量转移系数远大于表面反应速率常数,所以,LPCVD系统中,淀积过程主要是表面反应速率控制A对B错

问答题化学气相淀积(CVD)的概念,有哪五种基本化学反应?

判断题LPCVD系统中淀积速率是受表面反应控制的,APCVD系统中淀积速率受质量输运控制。A对B错

填空题缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是()、()、高密度等离子体化学气相淀积和()。

名词解释题物理气相淀积(pvd)

问答题化学气相淀积薄膜的生长过程是怎样的?

问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?

问答题为溅射做一个简短的解释,并描述它的工作方式?溅射适合于合金淀积吗?溅射淀积的优点是什么?