低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比,优点有?
离子束加工包括( )。 A.离子束溅射去除加工B.离子束溅射镀膜C.离子束溅射注入D.离子束焊接
热蒸发法淀积薄膜的淀积速率与哪些因素有关？淀积速率的测量采用什么办法？
采用LPCVD TEOS淀积的是什么膜？这层膜的优点是什么？
溅射法是由（）轰击靶材表面，使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。A、电子B、中性粒子C、带能离子
（）是指每个入射离子溅射出的靶原子数。A、溅射率B、溅射系数C、溅射效率D、溅射比
（）是与气体辉光放电现象密切想关的一种薄膜淀积技术。A、蒸镀B、离子注入C、溅射D、沉积
溅射的方法非常多其中包括（）。A、直流溅射B、交流溅射C、反应溅射D、二级溅射E、三级溅射
从电极的结构看，溅射的方法包括（）。A、直流溅射B、交流溅射C、二级溅射D、三级溅射E、四级溅射
简述溅射成膜的原理，并举例说明哪种薄膜采用溅射方法成膜。
对于浓度覆盖很宽的杂质原子，可以采用（）方法引入到硅片中。A、离子注入B、溅射C、淀积D、扩散
填空题常用的溅射镀膜气体是（），射频溅射镀膜的射频频率是（）。
判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A对B错
填空题根据引起气体放电的机理不同，可形成不同的溅射镀膜方法，主要有（）溅射、（）溅射、反应溅射、磁控溅射等方法。
判断题常用的溅射镀膜方法有直流溅射、射频溅射、磁控溅射，其中磁控溅射的气压最低、靶电流密度最高。A对B错
问答题以铝互连系统作为一种电路芯片的电连系统时，若分别采用真空蒸镀和磁控溅射工艺淀积铝膜，应分别从哪几方面来提高其台阶覆盖特性？
问答题低压化学气相淀积与常压化学气相淀积法相比，优点有？