锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
锗材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。 A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
二极管当中，硅管的开启电压约为（ ）V，锗管约为（ ）V。A.0.10.2B.0.20.3C.0.50.1D.0.50.4
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
半导体二极管具有显著的单向导电性，外加正向电压时，锗二极管的死区电压一般为（）。A、0.1～0.3VB、0.3～0.5VC、0.5～0.7VD、0.7～0.8V
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管和锗二极管的死区电压分别约为（）A、0.6V；0.6VB、0.6V；0.1VC、0.1V；0.6VD、0.1V；0.1V
锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A1VB0.7VC0.3VD0.5V
判断题锗二极管的正向电阻很大，正向导通电压约为0.2V。（）A对B错
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。