锗材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

锗材料二极管的死区电压为()V。

A、0.1

B、0.3

C、0.5

D、0.7

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三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
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一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
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3、锗二极管的死区电压为（） A、0.3V B、0.5V C、1V D、0.7V
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在室温27度时，锗二极管的死区电压大约为 V。A．0.1B．0.2C．0.3D．0.5
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硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
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【填空题】锗二极管的死区电压是
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一般情况下，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压（)。
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什么是二极管的死区电压？为什么会出现死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
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3、硅管的死区电压为0.2V，导通压降为0.6~0.7V；锗管的死区电压为0.5V，导通压降为0.2~0.3V。
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