二极管的基本特性是______,硅管导通时正向压降约为______V。
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
晶闸管有()个PN节,导通时,阳极和阴极的管压降约为()V。 此题为判断题(对，错)。
硅二极管导通时的正向压降为()V,锗二极管导通时的正向压降为()V。
设所有的二极管X晶体管为硅管，二极管正向压降为0.3V，晶体管发射结导通压降UBE＝0.7V，则图中各晶体管的工作状态正确的是（ ）。 A． VT1饱和，VT2饱和 B． VT1截止，VT2饱和 C． VT1截止，VT2放大 D． VT1放大，VT2放大
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
在常温常压下，锗二极管的正向导通压降约为（）。A、0.1～0.3VB、0.4～0.5VC、0.6～0.8VD、0.9～1.0V
晶闸管导通后，本身的压降约为（）V左右，称为通态平均电压。A、0.5B、0.7C、1D、3
二极管处于正向导通时，其正向压降变化不大，硅管约为（），锗管约为（）
二极管的伏安特性可大概理解为（）、（）。导通的硅管的压降约为（）V。
晶体二极管特性为（）导通，（）截止，导通后硅管压降为（），锗管压降为（）。
实际电路中二极管导通时的正向压降硅管一般取（），锗管一般为（）。
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。
硅管的导通压降约为（）V，锗管的导通压降约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
当温度升高时，晶体管的参数β增大，ICBO（），导通电压UBE减小。
在常温下，硅二极管的开启电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
在常温下，硅二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V，锗二极管的门限电压约（）V，导通后在较大电流下的正向压降约（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
普通硅二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V；锗二极管的正向导通压降范围大约为（）V，在工程估算中一般取（）V。发光二极管的正向导通压降范围大约为（）V。
锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题锗二极管工作在导通区时正向压降大约是（），死区电压是（）。
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。