在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

在常温常压下,锗二极管的正向导通压降约为()。

  • A、0.1~0.3V
  • B、0.4~0.5V
  • C、0.6~0.8V
  • D、0.9~1.0V

相关考题:

硅二极管的正向导通压降和锗二极管的一样大。() 此题为判断题(对,错)。

二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。

常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。 A.0.1B.0.3C.0.5D.0.7

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。A、大B、小C、相等D、无法判定

发光二极管正常工作时的正向压降大约为()A、0.2~0.3VB、0.6~0.7VC、1.5~3VD、0.1~1V

小电流硅二极管的死区电压约为(),正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

LED灯的工作压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.6~0.8VC、0.9~1.0VD、1~3V

常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7

在常温常压下,硅二极管的正向导通压降约为()。A、0.1~0.3VB、0.4~0.5VC、0.6~0.8VD、0.9~1.0V

二极管正向导通时,压降很小,硅管0.2-0.3V,锗管0.5-0.7V。

二极管处于正向导通时,其正向压降变化不大,硅管约为(),锗管约为()

锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V

半导体二极管具有显著的单向导电性,外加正向电压时,锗二极管的死区电压一般为()。A、0.1~0.3VB、0.3~0.5VC、0.5~0.7VD、0.7~0.8V

锗二极管正向导通电压应为()。A、0.3vB、0.7vC、0vD、很大

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()

硅二极管的正向导通压降约为()A、0.7VB、0.5VC、0.3VD、0.2V

常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。

标准TTL门关门电平Uoff之值为()。A、0.3VB、0.5VC、0.8vD、1.2V

在常温下,硅二极管的开启电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

在常温下,硅二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V,锗二极管的门限电压约()V,导通后在较大电流下的正向压降约()V。

硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()

二极管当正向电压超过UVD后,二极管开始导通。正常导通时,二极管的正向管压降很小,硅管约为(),锗管约为()。

在常温下,硅二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为();锗二极管的门槛电压约为(),导通后在较大电流下的正向压降约为()。

普通硅二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V;锗二极管的正向导通压降范围大约为()V,在工程估算中一般取()V。发光二极管的正向导通压降范围大约为()V。

填空题常温下,硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V;锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为()V。

单选题常温下,硅二极管在导通后较大电流下的正向压降约为()V。A0.1B0.3C0.5D0.7