按力源采煤工作面冒顶事故分为三种类型分别为()。 A、漏冒型、压垮性、推垮型B、漏冒型、压垮性、大型C、大型、中性、小型D、漏冒型、压垮性、冲击地压型
CPU模块直流输入端口()。 A.源型、漏型都是高电平有效B.源型、漏型都是低电平有效C.源型高电平有效，漏型是低电平有效D.源型低电平有效，漏型是高电平有效
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
单极型集成电路可分为（）几种。A、TTL型B、TDK型C、PMOS型D、NMOS型E、CMOS型
当uGS=0时，漏源间存在导电沟道的称为（）型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为（）型场效应管。
当UGS＝0时，（）管不可能工作在恒流区。A、JFETB、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、NMOS管
在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）
问答题耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？
单选题NMOS器件的衬底是（）型半导体。AN型BP型C本征型D耗尽型
填空题MOS型集成电路又分为NMOS、PMOS、（）型。
填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A对B错
单选题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）AP+、P+BP+，N+CN+，N+DN+，P+
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。