填空题离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）

填空题
离子注入机的对Si衬底作P型掺杂的源气常用（），N型掺杂的源气常用（）和（）。对GaAs做N型掺杂的源气常用（）

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硅太阳能电池是以n型硅半导体作基体，再用掺杂的方法在其表面制作一层薄的×××型硅半导体构成。
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导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
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导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
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怎样区分N型半导体和P型半导体（）A、N型半导体掺入5价元素，P型半导体掺入3价元素B、N型半导体掺入3价元素，P型半导体掺入5价元素C、N型半导体和P型半导体的掺杂相同，但接头不同D、N型半导体的空穴过剩，P型半导体的空穴不
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晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。A、n型掺杂区B、P型掺杂区C、栅氧化层D、场氧化层
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以下掺杂半导体中属于n型的是（）A、In掺杂的GeB、As掺杂的GeC、InSb中，Si占据Sb的位置D、GaN中，Mg占据Ga的位置
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气相色谱分析常用的（）有H2、N2、Ar、He、CO2和空气等。A、流动气B、气体C、气源D、载气
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什么叫掺杂半导体？什么叫N型半导体？什么叫P型半导体？
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n型半导体是在Si、Ge等四价元素中掺入少量（），p型半导体是在在四价元素Si、Ge等中掺入少量（）在价带附近形成掺杂的能级。
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当温度达到一定时，N型半导体全部掺杂原子均离子化时，称为（）。
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下列掺杂半导体属于n型半导体的是（）A、In掺杂的GeB、As掺入GeC、As掺入SiD、InSb中，Si占据Sb的位置E、GaN中，Mg占据Ga的位置
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关于反向饱和电流密度，以下说法中错误的是（）A、p-n结两边掺杂浓度相差较大时，反向饱和电流密度主要由掺杂浓度较低的一侧贡献。B、在一定温度下，与Si材料相比，GaAs具有较小的有效态密度和较大的禁带宽度，所以GaAs可获得更低的反向饱和电流密度。C、p-n结两边掺杂浓度越高，越有利于降低反向饱和电流密度。D、与半导体中的载流子寿命、扩散长度、导带价带的有效态密度、掺杂浓度以及禁带宽度有关。赋予他们恰当值可以得到较大的VOC。
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下列哪一个不是化学电离源常用的反应气？（）A、CH4B、N2C、HeD、H2
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N型半导体中的自由电子是（）形成的。A、掺杂B、能量击发C、掺杂与能量击发
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在半导体中掺入微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型
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在半导体中掺人微量的有用杂质，制成掺杂半导体。掺杂半导体有（）。A、W型B、N型有P型C、U型D、V型
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判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。A对B错
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判断题NMOS源漏城需进行N+型掺杂。A对B错
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问答题常用掺杂方法是什么？
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填空题由于源、漏区的掺杂浓度（）于沟道区的掺杂浓度，所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向（）区扩展，使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题（）。
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判断题CD越小，源漏结的掺杂区越深。A对B错
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判断题晶体管的源漏区的掺杂采用自对准技术，一次掺杂成功。A对B错
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判断题PIN管是在P型和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的掺杂半导体。A对B错
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填空题无源基区重掺杂的目的是（）。
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填空题（）和（）是半导体器件的最常用掺杂方法。（）、（）是Si常用的施主杂质；（）是Si常用的受主杂质；（）是GaAs常用的P型掺杂剂；（）是GaAs常用的N型掺杂剂。
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单选题NMOS源漏的掺杂类型分别为（）AP+、P+BP+，N+CN+，N+DN+，P+
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填空题N沟道MOSFET的衬底是（）型半导体，源区和漏区是（）型半导体，沟道中的载流子是（）。
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