填空题肖特基接触呈现(),肖特基结的高低由()差决定;欧姆接触呈现()特性,接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现(),所以,源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于()。
填空题
肖特基接触呈现(),肖特基结的高低由()差决定;欧姆接触呈现()特性,接触电阻可以低到10-7欧姆·厘米。IC的互连线金属要求与半导体衬底实现(),所以,源、漏、多晶硅等的掺杂浓度必须高于()。
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