多选题蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有()。A增加二价铜离子的浓度B使一价铜生成配合物C使一价铜生成沉淀D减少二价铜离子的浓度

多选题
蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有()。
A

增加二价铜离子的浓度

B

使一价铜生成配合物

C

使一价铜生成沉淀

D

减少二价铜离子的浓度


参考解析

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下列关于SCL的分装工序中,哪项顺序是正确的()。 A、蚀刻标记—萃取—水合—品控—染色—封口灭菌—贴标签B、蚀刻标记—水合—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签C、蚀刻标记—水合—萃取—染色—品控—封口灭菌—贴标签D、水合—蚀刻标记—萃取—品控—染色—封口灭菌—贴标签

晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20μm厚的表面层。

所有蚀刻工具要么是针嘴的,要么是平刃的。但是,有些平刃的蚀刻工具用于雕刻,有些不是。另一方面,所有针嘴的蚀刻工具都用于雕刻。因此,用于雕刻的蚀刻工具比不用于雕刻的蚀刻工具多。如果以下哪项陈述为真,能合乎逻辑地得出上述论证的结论?()A、大部分平刃的蚀刻工具不是用来雕刻的。B、所有不用于雕刻的蚀刻工具都是平刃的。C、针嘴的蚀刻工具与平刃的蚀刻工具一样多。D、没有蚀刻工具既是针嘴的,又是平刃的。

判断题蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高,蚀刻速率加快。A对B错

判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A对B错

判断题一般在蚀刻操作中蚀刻和再生是同时进行的。A对B错

单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于()。A鼓泡式蚀刻液的酸性更强B鼓泡式蚀刻通入空气C鼓泡式蚀刻液的酸性更强D鼓泡式蚀刻通入氧气

多选题板子在蚀刻机内部进行蚀刻时,其位置放置形式有()。A水平放置B垂直放置C45度角放置D任意方式放置

填空题蚀刻技术可分为()和干蚀刻两类。

单选题用来衡量侧蚀量的大小程度的选项为()。A蚀刻系数B蚀刻速率C溶铜量D镀层增宽

多选题广义而言,所谓的蚀刻技术可以分为()。A干蚀刻B湿蚀刻C中性蚀刻D无侧蚀蚀刻

多选题蚀刻过程中为使加速蚀刻反应正向进行的措施有()。A增加二价铜离子的浓度B使一价铜生成配合物C使一价铜生成沉淀D减少二价铜离子的浓度

单选题通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液()。A浸泡式蚀刻B鼓泡式蚀刻C泼溅式蚀刻D喷淋式蚀刻

判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定,容易控制。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻过度的原因可能有()。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足

填空题碱性蚀刻中蚀刻不足可能是喷淋压力不足造成,其解决方式为()。

判断题在印制板的蚀刻操作中,希望有较高的蚀刻系数。A对B错

多选题蚀刻液的种类有()。A酸性蚀刻液B碱性蚀刻液C中性蚀刻液D不知道

判断题随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。A对B错

多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有()。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易

判断题碱性氯化铜蚀刻液pH值过低,氮水浓度太低,蚀刻速率变慢。A对B错

判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻不足的原因可能有()。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足

单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低,会加大侧蚀量,这是因为()。A蚀刻液的密度太低,造成温度过低,反应速度过慢B蚀刻液的密度太低,溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低,即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低,溶液中的氯化铵含量太少

单选题在印制板上形成导电图形的一般技术方式为()。A湿蚀刻B干蚀刻C浅蚀刻D深蚀刻

单选题常用的金属表面处理方法不包括()A打磨、喷砂B化学蚀刻C电解蚀刻D加热

多选题干法蚀刻通常指利用辉光放电方式,产生等离子体来进行图案转移的蚀刻技术。其中等离子体含有()。A离子、电子B中性原子C分子D自由基

多选题影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面()。A等离子体蚀刻系统的形态B等离子体蚀刻的参数C光刻胶D待蚀刻薄膜的淀积参数条件