判断题蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高,蚀刻速率加快。A对B错

判断题
蚀刻温度对蚀刻速率的影响是随着温度的升高,蚀刻速率加快。
A

B


参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

一般温度升高,化学反应速率加快。如果活化能越大,则反应速率受温度的影响也越大。() 此题为判断题(对,错)。

温度对反应速率的影响()。A、反应速率常数随温度升高而很快增大B、温度升高只影响正向反应速率C、阿累尼乌斯公式反映了浓度对反应速率的影响D、化学反应速率常数不随温度变化

晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种,其中酸性蚀刻是采用()和硝酸的混合溶液,醋酸和磷酸当缓冲剂,一般去除约10-20μm厚的表面层。

所有蚀刻工具要么是针嘴的,要么是平刃的。但是,有些平刃的蚀刻工具用于雕刻,有些不是。另一方面,所有针嘴的蚀刻工具都用于雕刻。因此,用于雕刻的蚀刻工具比不用于雕刻的蚀刻工具多。如果以下哪项陈述为真,能合乎逻辑地得出上述论证的结论?()A、大部分平刃的蚀刻工具不是用来雕刻的。B、所有不用于雕刻的蚀刻工具都是平刃的。C、针嘴的蚀刻工具与平刃的蚀刻工具一样多。D、没有蚀刻工具既是针嘴的,又是平刃的。

判断题蚀刻液中只需要含有氯化铜即可达到理想蚀刻要求。A对B错

判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A对B错

单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于()。A鼓泡式蚀刻液的酸性更强B鼓泡式蚀刻通入空气C鼓泡式蚀刻液的酸性更强D鼓泡式蚀刻通入氧气

填空题蚀刻技术可分为()和干蚀刻两类。

单选题用来衡量侧蚀量的大小程度的选项为()。A蚀刻系数B蚀刻速率C溶铜量D镀层增宽

多选题广义而言,所谓的蚀刻技术可以分为()。A干蚀刻B湿蚀刻C中性蚀刻D无侧蚀蚀刻

判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A对B错

单选题通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液()。A浸泡式蚀刻B鼓泡式蚀刻C泼溅式蚀刻D喷淋式蚀刻

判断题碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时,蚀刻速率慢,溶液稳定性差。A对B错

判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定,容易控制。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻过度的原因可能有()。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足

填空题碱性蚀刻中蚀刻不足可能是喷淋压力不足造成,其解决方式为()。

判断题在印制板的蚀刻操作中,希望有较高的蚀刻系数。A对B错

多选题蚀刻液的种类有()。A酸性蚀刻液B碱性蚀刻液C中性蚀刻液D不知道

判断题随着蚀刻反应的不断进行,蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。A对B错

判断题湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的,腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。A对B错

多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有()。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易

判断题碱性氯化铜蚀刻液pH值过低,氮水浓度太低,蚀刻速率变慢。A对B错

判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错

多选题在碱性氯化铜蚀刻中,造成蚀刻不足的原因可能有()。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足

单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低,会加大侧蚀量,这是因为()。A蚀刻液的密度太低,造成温度过低,反应速度过慢B蚀刻液的密度太低,溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低,即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低,溶液中的氯化铵含量太少

单选题在印制板上形成导电图形的一般技术方式为()。A湿蚀刻B干蚀刻C浅蚀刻D深蚀刻

多选题影响等离子体蚀刻特性好坏的因素包括以下几个方面()。A等离子体蚀刻系统的形态B等离子体蚀刻的参数C光刻胶D待蚀刻薄膜的淀积参数条件