晶体硅片蚀刻清洗的生产工艺有酸性蚀刻和碱性蚀刻两种，其中酸性蚀刻是采用（）和硝酸的混合溶液，醋酸和磷酸当缓冲剂，一般去除约10-20μm厚的表面层。
判断题能用酸性蚀刻液蚀刻的工件就绝对不用碱性蚀刻液。A对B错
单选题鼓泡式蚀刻和浸泡式蚀刻的不同之处在于（）。A鼓泡式蚀刻液的酸性更强B鼓泡式蚀刻通入空气C鼓泡式蚀刻液的酸性更强D鼓泡式蚀刻通入氧气
多选题广义而言，所谓的蚀刻技术可以分为（）。A干蚀刻B湿蚀刻C中性蚀刻D无侧蚀蚀刻
判断题酸性氯化铜蚀刻液用于蚀刻单面板和多层板的内层。A对B错
判断题所有金属抗蚀层都可适用碱性蚀刻液，大部分金属不可用酸性蚀刻液，金除外。A对B错
单选题通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液（）。A浸泡式蚀刻B鼓泡式蚀刻C泼溅式蚀刻D喷淋式蚀刻
判断题碱性氯化铜蚀刻液中氯化铵浓度偏低时，蚀刻速率慢，溶液稳定性差。A对B错
判断题酸性氯化铜蚀刻液的特点是蚀刻速率恒定，容易控制。A对B错
多选题在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻过度的原因可能有（）。A传送速度太慢BpH值过高C蚀刻液比重偏低D蚀刻液温度不足
多选题属于酸性蚀刻液再生的方法有（）。A氯气再生B通氧气或压缩空气再生C电解再生D双氧水再生
判断题浸泡式蚀刻通常使用添加了过硫酸盐或过氧化氢的硫酸作为蚀刻液。A对B错
判断题在印制板的蚀刻操作中，希望有较高的蚀刻系数。A对B错
判断题随着蚀刻反应的不断进行，蚀刻液中铜的含量会逐渐增加。A对B错
判断题湿法蚀刻时蚀刻液的腐蚀是各向同性的，腐蚀发生在和溶液接触的各个方面。A对B错
判断题侧蚀程度的大小与蚀刻液的种类、组成和所使用的蚀刻工艺及设备有关。A对B错
多选题下列为碱性氯化铜蚀刻液特点的有（）。A蚀刻速率快B蚀刻速率比较容易控制C溶铜量大D再生容易
判断题碱性氯化铜蚀刻液pH值过低，氮水浓度太低，蚀刻速率变慢。A对B错
判断题碱性氯化铜蚀刻液是目前应用最广的图形蚀刻溶液。A对B错
多选题在碱性氯化铜蚀刻中，造成蚀刻不足的原因可能有（）。A传送速度太快BpH值太低C蚀刻液温度不足D喷淋压力不足
单选题碱性氯化铜的蚀刻液密度太低，会加大侧蚀量，这是因为（）。A蚀刻液的密度太低，造成温度过低，反应速度过慢B蚀刻液的密度太低，溶液中的二价铜离子含量偏低C蚀刻液的密度太低，即溶液的pH值太低D蚀刻液的密度太低，溶液中的氯化铵含量太少
单选题在印制板上形成导电图形的一般技术方式为（）。A湿蚀刻B干蚀刻C浅蚀刻D深蚀刻
多选题碱性蚀刻液再生方法有（）。A结晶法B萃取法C中和法D空气再生法
单选题印制电路板蚀刻液蚀刻的对象是（）。A覆铜箔板B环氧树脂C钻孔毛刺D阻焊油墨