什么是离子注入中常发生的沟道效应（Channeling）和临界角？怎样避免沟道效应？

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采用超声横波探伤时，为避免纵波的干扰，探头的入射角应在大于第一临界角（）第二临界角之间选择。
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光线发生全反射的条件是入射角（）临界角，而临界角由（）确定。
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对沟道效应，沿着主晶轴方向入射时，角分布半宽度的典型值为多少。
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填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。
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名词解释题沟道效应
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问答题什么是沟道效应？
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名词解释题短沟道效应（Short Channel Effect）
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单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A 电活性B 晶格损伤C 横向效应D 沟道效应
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问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
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名词解释题离子注入的沟道效应
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填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。
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填空题阈电压V的短沟道效应是指，当沟道长度缩短时，V变（）。
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