问答题什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
问答题
什么是离子注入时的沟道效应？列举出三种控制沟道效应的方法？
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单选题离子注入过程是一个非平衡过程，高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞，逐步损失能量，最后停下来。停下来的位置是随机的，大部分不在晶格上，因而没有（）。A 电活性B 晶格损伤C 横向效应D 沟道效应
填空题为了避免短沟道效应，可采用按比例缩小法则，当MOSFET的沟道长度缩短一半时，其沟道宽度应（），栅氧化层厚度应（），源、漏区结深应（），衬底掺杂浓度应（）。