名词解释题短沟道效应

名词解释题
短沟道效应

参考解析

解析: 暂无解析

相关考题:

SOS求救信号可以用()的任何信号来表示。 A、三长,三短,再三短B、三短,三短,再三长C、三短,三长,再三短D、三短,三长,再三长

接头操作要求的“两短”是指()A、抬头短   提纱短B、引纱短 绕导纱钩短C、引纱短  提纱短

试验制动机结束及安全信号的口笛、号角鸣示为()A、一短一长二短声B、一短二长二短声C、一短一长三短声D、二短一长二短声

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

根据不同的报警声确定故障点,下列系统报警声中属于基本内存中出现错误的有()A、1短3短1短B、1短3短2短C、1短3短3短D、1短4短4短

遇险时发出摩尔斯电码求救,发出SOS求救信号,可以用()任何信号来表示。A、三短、三长、三短B、二短、二长、二短C、二短、三长、二短D、三短、四长、三短

国际遇险求救信号SOS的摩氏信号是()。A、三短、三长、三短B、三长、三短、三长C、三短、二长、三短D、二短、二长、二短

短截方式有()等。A、轻短截B、中短截C、重短截D、极重短截

短/短(S/S)及短/长(S/F)复合纺纱

对沟道效应,沿着主晶轴方向入射时,角分布半宽度的典型值为多少。

应急手电筒SOS信号为()。A、三短三长三短B、三长三短三长C、三长三长三短D、三短三短三长

名词解释题离子注入的沟道效应

填空题阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。

单选题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。A 电活性B 晶格损伤C 横向效应D 沟道效应

问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?

问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

问答题什么是短沟道效应?有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应?

单选题遇险时发出摩尔斯电码求救,发出SOS求救信号,可以用()任何信号来表示。A三短、三长、三短B二短、二长、二短C二短、三长、二短D三短、四长、三短

问答题什么是沟道效应?抑制方法?

单选题试验制动机结束及安全信号的口笛、号角鸣示为()A一短一长二短声B一短二长二短声C一短一长三短声D二短一长二短声

问答题什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?

问答题如何降低沟道效应?

填空题()称为沟道效应,可以用()、()和()来避免。其中,()是最常用的方法。

名词解释题沟道效应

名词解释题短沟道效应(Short Channel Effect)

填空题为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。

多选题根据不同的报警声确定故障点,下列系统报警声中属于基本内存中出现错误的有()A1短3短1短B1短3短2短C1短3短3短D1短4短4短