名词解释题沟道效应

名词解释题
沟道效应

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相关考题:

什么是离子注入中常发生的沟道效应(Channeling)和临界角?怎样避免沟道效应?

对沟道效应,沿着主晶轴方向入射时,角分布半宽度的典型值为多少。

填空题阈电压V的短沟道效应是指,当沟道长度缩短时,V变()。

单选题离子注入过程是一个非平衡过程,高能离子进入靶后不断与原子核及其核外电子碰撞,逐步损失能量,最后停下来。停下来的位置是随机的,大部分不在晶格上,因而没有()。A 电活性B 晶格损伤C 横向效应D 沟道效应

问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么,其对晶体管有什么影响?

问答题描述沟道效应。列举并简要解释控制沟道效应的三种机制。

问答题什么是短沟道效应?有哪些设计和工艺措施可以降低短沟道效应?

问答题什么是沟道效应?抑制方法?

问答题什么是离子注入时的沟道效应?列举出三种控制沟道效应的方法?

问答题如何降低沟道效应?

填空题()称为沟道效应,可以用()、()和()来避免。其中,()是最常用的方法。

名词解释题短沟道效应(Short Channel Effect)

填空题为了避免短沟道效应,可采用按比例缩小法则,当MOSFET的沟道长度缩短一半时,其沟道宽度应(),栅氧化层厚度应(),源、漏区结深应(),衬底掺杂浓度应()。