在深紫外曝光中，需要使用（）光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，它的优点在于（）。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度
试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中，采用了背曝光为什么还要采用一次曝光？直接使用一次曝光不行吗？
光刻加工的工艺过程为（）A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原
例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶（）。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶
在深紫外曝光中，需要使用CA光刻胶，CA的含义是（）。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少
光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术
问答题光刻工艺的主要流程有哪几步？什么是光刻工艺的分辨率？从物理角度看，限制分辨率的因素是什么？最常用的曝光光源是什么？
问答题例举出两种光刻胶显影方法。例举出7种光刻胶显影参数。
判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶，则这种光刻胶为正胶。A对B错
填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为（）的g线和（）的i线，适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用（）的KrF和（）的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。
填空题光刻的图形曝光方式有：接触式曝光、接近式曝光和（）曝光。
问答题例举并描述6种不同的塑料封装形式。陶瓷封装的两种主要封装方法是什么？
单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是（）。A电子束曝光技术B离子束曝光技术CX射线曝光技术
问答题例举并描述热生长SiO2–Si系统中的电荷有哪些？
多选题以下属于光刻工艺的为：（）。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀