试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?

试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?


相关考题:

X线机中设置容量保护电路的目的是A.防止摄影时阳极未达到额定转速而曝光B.防止摄影时阳极未启动而曝光C.防止一次性超容量曝光,保护高压变压器D.防止一次性超容量曝光,保护X线管E.防止积累性超容量曝光,保护X线管

成像板擦除完全性的测试中,应该()A、第一次大剂量曝光第二次小剂量曝光B、第一次小剂量曝光第二次大剂量曝光C、两次使用完全相同的曝光量D、第一次使用被照体E、第二次不使用被照体

光刻的主要工艺流程按照操作顺序是()。A、涂胶、前烘、曝光、坚膜、显影、去胶B、涂胶、前烘、坚膜、曝光、显影、去胶C、涂胶、前烘、曝光、显影、坚膜、去胶D、前烘、涂胶、曝光、坚膜、显影、去胶

在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

简述背沟道阻挡结构的优缺点。

试分析背沟道刻蚀型的5次光刻中过孔的工艺难点。

为了获得景物层次丰富,灯光效果强烈的夜景气氛,拍摄中常采用()的方法。A、一次拍摄B、二次曝光C、三次曝光D、多次曝光

光刻加工的工艺过程为()A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

曝光不足败版,重新确定曝光时间可采()A、同一网版多段曝光B、以不同目数网布试相同曝光C、使用数个网版分别测试D、以不同颜色网布测试

在曝光因子的公式中,背电流、曝光时间和焦距三者的关系是()。A、管电流不变,背电流与焦距的平方成反比B、管电流不变,时间与焦距的平方成正比C、焦距不变,管电流与曝光时间成正比D、曝光时间不变,管电流与焦距成正比

在渲染动画效果时,应该使用的[曝光控制]是()。A、自动曝光控制B、正确数曝光控制C、现行曝光控制D、为彩色曝光控制

例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少

光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术

X线管容量是指X线管在安全使用条件下能承受的最大负荷量,是一次负荷的安全性。即在确定曝光时间下所能允许使用的最大曝光条件-管电压和管电流。X线机中设置容量保护电路就是为了防止一次性超负荷曝光。X线管的容量(Pa)与管电压的有效值、管电流的有效值成正比。X线管的容量还与设备高压整流方式和曝光时间有关。X线发生时,绝大部分电能转化为热量。X线机中设置容量保护电路的目的是()A、防止摄影时灯丝未加热而曝光保护X线管B、防止X线管过热状态下曝光,保护X线管C、防止超热容量指标曝光,保护X线管D、防止一次性超负荷曝光,保护X线管E、防止一次性超负荷曝光,保护高压变压器

单选题在曝光因子的公式中,背电流、曝光时间和焦距三者的关系是()。A管电流不变,背电流与焦距的平方成反比B管电流不变,时间与焦距的平方成正比C焦距不变,管电流与曝光时间成正比D曝光时间不变,管电流与焦距成正比

单选题X线机中设置容量保护电路的目的是(  )。A防止摄影时阳极未达到额定转速而曝光B防止摄影时阳极未启动而曝光C防止一次性超容量曝光,保护高压变压器D防止一次性超容量曝光,保护X线管E防止积累性超容量曝光,保护X线管

单选题光刻加工的工艺过程为:()A①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

单选题为了获得景物层次丰富,灯光效果强烈的夜景气氛,拍摄中常采用()的方法。A一次拍摄B二次曝光C三次曝光D多次曝光

问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

填空题光刻胶的三种主要成分是:()。正胶的感光剂是(),曝光使其(),正胶的曝光区在显影后(); 曝光使负胶的感光剂(),使曝光区在显影后()。

判断题先进集成电路加工中,主要采用投影式光刻曝光技术。A对B错

问答题常见的光刻对准曝光设备有?

填空题光刻的图形曝光方式有:接触式曝光、接近式曝光和()曝光。

问答题列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()。A电子束曝光技术B离子束曝光技术CX射线曝光技术