问答题列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。

问答题
列出并描述光刻中使用的两种UV曝光光源。

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相关考题:

在深紫外曝光中,需要使用()光刻胶。A、DQNB、CAC、ARCD、PMMA

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,它的优点在于()。A、CA光刻胶对深紫外光吸收小B、CA光刻胶将吸收的光子能量发生化学转化C、CA光刻胶在显影液中的可溶性强D、有较高的光敏度E、有较高的对比度

试分析在背沟道阻挡结构的第二次光刻中,采用了背曝光为什么还要采用一次曝光?直接使用一次曝光不行吗?

下面对于CTP技术的描述中不正确的是()。A、CTP所采用的激光光源按其光谱特性可分为可见光源、红外光源、紫外线光源B、采用CTP技术可有效缩短印刷准备时间,充分提高印刷效率C、热敏CTP版材可以实现明室操作印刷包装城D、UV-CTP版材可采用紫外光曝光,因此不属于CTP版材

光刻加工的工艺过程为()A、①氧化②沉积③曝光④显影⑤还原⑦清洗B、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦扩散C、①氧化②涂胶③曝光④显影⑤去胶⑦还原

紫外线曝光测试计是测量()A、光源种类B、光波长度C、紫外线量D、UV印墨

下列关于AAS与UV-VIS区别的叙述中,错误的是()。A、AAS法是原子吸收线状光谱;UV-VIS法是分子吸收带状光谱B、AAS法是连续光源(钨灯、氘灯);UV-VIS法是锐线光源(空心阴极灯)C、AAS法仪器排列顺序为锐线光源→原子化器→单色器→检测器D、UV-VIS法仪器排列顺序为光源→单色器→吸收池→检测器

例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

用g线和i线进行曝光时通常使用哪种光刻胶()。A、ARCB、HMDSC、正胶D、负胶

在深紫外曝光中,需要使用CA光刻胶,CA的含义是()。A、化学增强B、化学减弱C、厚度增加D、厚度减少

光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()A、电子束曝光技术B、离子束曝光技术C、X射线曝光技术

问答题列出光刻胶的四种成分

问答题光刻的曝光方式有几种?各有何特点?

问答题光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?

问答题列出并描述I线光刻胶的4种成分。

判断题如果光刻胶在曝光前可溶于某种溶液而经过曝光后不可溶,则这种光刻胶为正胶。A对B错

问答题列出光刻工艺的十个步骤,并简述每一步的目的。

填空题光学光刻机的主要曝光光线的是波长为()的g线和()的i线,适合1微米以上特征尺寸的光刻。常用()的KrF和()的ArF准分子激光做1微米以下特征尺寸的光刻光源。

判断题先进集成电路加工中,主要采用投影式光刻曝光技术。A对B错

问答题列出光刻的8个步骤,并对每一步做出简要解释。

问答题常见的光刻对准曝光设备有?

填空题光刻的图形曝光方式有:接触式曝光、接近式曝光和()曝光。

问答题列出并描述两种主要的光刻胶。

问答题例举并描述光刻中使用的两种曝光光源。

单选题光刻加工采用的曝光技术中具有最高分辨率的是()。A电子束曝光技术B离子束曝光技术CX射线曝光技术

问答题光刻的作用是什么?列举两种常用曝光方式。

多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀