4、IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
4、IGBT相比MOSFET，其通态电阻较大，因而导通损耗也较大。
参考答案和解析
B
相关考题：
IGBT的通态压降在1／2或1／3额定电流以下的区段具有______的温度系数,在1／2或1／3额定电流以上的区段则具有______的温度系数,因而IGBT在______使用时也具有电流的自动均衡能力。
GBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
IGBT与场管的区别，正确的有（）A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路，场管适合200KHZ以下的逆变电路
填空题常温下，硅二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V；锗二极管导通后在较大电流下的正向压降约为（）V。