IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

IGBT与场管的区别,正确的有()

  • A、场管比IGBT频率高
  • B、IGBT比场管导通压降低
  • C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
  • D、IGBT的开关损耗比场管大
  • E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

相关考题:

IGBT的反向耐压较低,目前,IGBT模块总是将二极管同IGBT()封装在一起。A、串联B、并联C、反并联D、以上选项都不正确

IGBT是()的复合管。A、GTRB、SCRC、MOSFETD、RTD

GBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路

ZX7400D的开关功率器件是()。A、场效应管B、单管IGBTC、IGBT模块D、可控硅

IGBT是()和()的复合管。A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、PD

已获广泛应用的全控型电力电子器件有电力晶体管GTR、可关断晶体管GTO、电力()晶体管MOSFET、绝缘删双极型晶体管IGBT和场控晶闸管MCT等

25T型客车充电机的DC600V电源经过EMI滤波,LC直流滤波送到由IGBT模块作开关管的()电路,该电路将DC600v逆变成15Hz的高频方波。A、半桥逆变B、全桥逆变C、半桥整流D、全桥整流

通用变频器的逆变电路中功率开关管现在一般采用()模块。     A、晶闸管B、MOSFETC、GTRD、IGBT

IGBT全称:绝缘栅形双极晶体管

可控硅逆变焊机的逆变频率是(),IGBT逆变焊机的逆变频率是()。A、5kHz以下B、16—20kHzC、20kHz以上

逆变弧焊机电源是目前最先进的弧焊电源,主要有可控硅(SCR)逆变弧焊电源、场效应管(MOS)逆变弧焊电源和绝缘栅双极性晶体管(IGBT)逆变弧焊电源。

25Hz电子分频器模块功率变换主电路采用“交-直-交”结构,变为直流电源后,通过()电力电子开关器件IGBT进行逆变,将两路直流逆变为两路25Hz交流电源。A、分线型B、场控型C、模拟型D、滤波型

IGBT是绝缘栅型双极性晶体管,它的特性是();A、输出饱和压降低;B、输入阻抗高;C、开关速度高;D、通态度损耗小;

不属于IGBT管特点的是()A、IGBT管为混合器件B、驱动功率容量小C、电流等级为10A—400AD、IGBT管是一种电流型器件

绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的特点有哪些?

功率场效应晶体管简称为()。A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT

IGBT的主体部分与GTR类似,控制部分与场效应管类似,下面属于IGBT具有的优点的有()A、电磁噪音很小B、电流波形大为改善,电机的转矩增大C、IGBT管二次击穿现象小D、最大管子容量比GTO管大的多

用IGBT作逆变管的变频调速器有些什么优点?

什么是绝缘栅双极晶体管(IGBT)?它有什么特点?

大功率晶体管的文字符号是()A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT

在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

功率场效应管的文字符号是()A、GTOB、GTRC、P-MOSFETD、IGBT

双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。

绝缘栅双极晶体管(IGBT)有哪些特点?

为什么IGBT是电导调制性场效应管?

问答题绝缘栅双极性晶体管(IGBT)的特点有哪些?

填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。