IGBT与场管的区别,正确的有()A、场管比IGBT频率高B、IGBT比场管导通压降低C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大D、IGBT的开关损耗比场管大E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路
IGBT与场管的区别,正确的有()
- A、场管比IGBT频率高
- B、IGBT比场管导通压降低
- C、单支IGBT的 功率容量比场管容量大
- D、IGBT的开关损耗比场管大
- E、IGBT 适合低于20KHZ的逆变电路,场管适合200KHZ以下的逆变电路
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填空题电力晶体管GTR;可关断晶闸管();功率场效应晶体管MOSFET;绝缘栅双极型晶体管IGBT;IGBT是MOSFET和GTR的复合管。